1N8026-GA データシート
仕様 1N8026-GA
品番 :
1N8026-GA
メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明文 :
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1200V
電流-平均整流（Io） :
8A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.6V @ 2.5A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
237pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-257-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-257
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 250°C
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
製造業者識別番号
内部部品番号
ABC-1N8026-GA
簡単な説明
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
59368 個
参考価格
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Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 7NS 256BGA |
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Xilinx Inc. |
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